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纳微GaNFast解决方案

作者:时间:2018-04-08来源:电子产品世界

澳客网七星彩 www.bzlcg.com 作者/Stephen Oliver 销售及营销副总裁

本文引用地址:http://www.bzlcg.com/article/201804/378006.htm

(Navitas)公司和半导体行业而言,伴随着宽带隙技术将取代旧式硅器件,这将是一个动态变化的时代。平面GaN器件正在取代高达650V和5kW的Si FET器件,而在更高电压和功率水平应用中,垂直SiC部件取代Si IGBT。通过全新的高成本效益解决方案,着手解决价值300亿美元的Si FET和驱动器市场需求。

FET、驱动器和逻辑电路的单片集成,全部采用650V GaN工艺,从而实现许多软开关拓扑和应用中的高速、高频率、高效率操作。这意味着Navitas 器件和参考设计实现了前所未有的小尺寸、低重量和高效率水平,为从智能手机和平板电脑到笔记本电脑,监视器和游戏系统等终端产品带来快速充电速度。最近公司在美国圣安东尼奥的APEC会议上宣布推出世界上最小的27W USB-PD快速充电器和世界上最薄的通用适配器。



关键词: 纳微,GaNFast

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